Hausgemachte Siliziumdiode / Sudo Null IT News

Ich habe einen Lötkolben, Draht und ein Stück Silikon. Wie man einen Prozess macht … Obwohl, nein. Wie erstelle ich eine Diode?

Der Artikel dient rein zu Informationszwecken und fordert in keiner Weise zur Umsetzung der in diesem Artikel beschriebenen Maßnahmen auf. Hier ist alles tödlich: von hohen Temperaturen bis hin zu chemischen Reagenzien.

Und was? Sollen wir anfangen? Als erstes wurde ein n-leitender Siliziumwafer gekauft. Dann teilte er es in kleinere Teller. Als nächstes war es notwendig, einen Oxidfilm auf der Siliziumoberfläche zu erzeugen. Geben Sie dazu Silizium in einen auf 1000 ° C erhitzten Tiegelofen und gießen Sie es mit destilliertem Wasser. Abdeckung, wenn auch eine C-Klasse, aber gebildet. Nach dem Abkühlen habe ich eine Seite mit Fotolack bedeckt, getrocknet und mit einer UV-Lampe beleuchtet.

Ich hatte Flusssäure (HF) 40%, es war notwendig, die Konzentration zu reduzieren. Verdünnen Sie es dazu mit destilliertem Wasser 1 zu 10. Es stellte sich heraus, dass es sich um eine 4% ige Lösung handelte. Die Platten wurden 3 Minuten lang in diese Lösung gegeben. Die durch den Fotolack ungeschützten Bereiche des Siliziumoxids reagierten und legten das Silizium frei. Entfernen Sie als nächstes den Fotolack mit einer Pfeifenreinigerlösung. Alles gründlich in destilliertem Wasser waschen. Wir trocknen.

Borsäure in einen kleinen Tiegel gießen und auf eine Temperatur von 500-600 ° C erhitzen.

H3BO3=HBO2+H2O (Temperatur 100)

4HBO2=H2B4O7+H2O (Temperatur 140)

H2B4O7=2B2O3+H2O (Temperatur 500)

Am Auslass verdunstet das Wasser und Boroxid bleibt am Boden zurück. Sie werden Silizium dotieren.

Wir legen einen Siliziumwafer auf den Tiegel: mit der Oxidschicht nach oben und mit dem Silizium nach unten. Wir legen es für 3 Minuten in einen Tiegelofen bei einer Temperatur von 1000 C. Bei dieser Temperatur beginnt Boroxid zu verdampfen und setzt sich auf Silizium ab. Silizium nimmt Sauerstoffatome auf und verwandelt sich in Siliziumoxid, und das freigesetzte Bor dringt in die Platte ein und in diesem Bereich wird die Platte p-leitend.

Nach dem Entfernen der Platte abkühlen lassen und in Flusssäure (4%) geben. Es reagiert mit Siliziumoxid und am Ausgang erhalten wir einen sauberen Siliziumwafer, der nur auf der einen Seite n-leitend und auf der anderen p-leitend ist. Das heißt, die Diode ist fertig !!!

Jetzt liegt es an den Kleinen: Stellen Sie sicher, dass dies wirklich eine Diode ist. Wir nehmen ein Multimeter, stellen den Dioden-Durchgangsmodus ein und am Ausgang erhalten wir einen Lauf von 900 bis 1900 Ohm. Es ist hier nicht klar, ob dies ein schlechter Kontakt mit der Kristalloberfläche ist oder zufällig legiert wurde. Ich werde es sicher wissen – wenn ich eine Anlage zur Vakuum-Magnetron-Abscheidung von Metallen zusammenbaue und die “Fersen” von Kontakten auf den Kristall sprühe.

DiodentestschaltungDiodentestschaltung

Aber woher wissen Sie, ob es eine Diode ist oder nicht? Wir bauen eine Schaltung mit einer Wechselstromquelle und antiparallel geschalteten LEDs auf. Das Prinzip ist folgendes: Wenn sich herausstellt, dass unsere Diode ein Dielektrikum ist, leuchtet keine der LEDs, wenn es nur ein Leiter ist, leuchten beide, und wenn es eine Diode ist, leuchtet eine LED mit einer Polarität und die andere mit der entgegengesetzten Polarität. Der Testdiodentest wurde einwandfrei bestanden.

Überprüfen der Leistung der Diode (der Kristall wird mit Nadeln im Radiergummi geklemmt)Überprüfen der Leistung der Diode (der Kristall wird mit Nadeln im Radiergummi geklemmt)

Insgesamt wurden 5 Arbeitsplatten hergestellt, gut, mehr als 20 gingen in die Ehe. Hier ist so eine harte Realität.

Witz des Tages:

Verkauf! Dringend!!! 5 Dioden zum Selbstkostenpreis.

Ausgegeben:

– Tiegelofen -19000 reiben.

– chemische Reagenzien -2800 reiben.

– Geschirr 700 Rubel.

– Siliziumwafer 3500 reiben.

Insgesamt: 26.000 Rubel.

Und ich habe die kleinen Dinge immer noch nicht gezählt)))

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